【学术报告】 缺陷态对材料电子结构的影响

报告人：郝维昌 北京航空航天大学长聘教授
邀请人：马德琨
报告时间：8月6日上午10:00
报告地点：浙江省精细化学品传统工艺替代技术研究重点实验室会议室308室

报告人简介：

　　郝维昌，男，博士，北京航空航天大学长聘教授。1997年在东北大学获学士学位，2003在兰州大学获博士学位。2003年-2005年在北京航空航天大学物理系做博士后；2005年6月出站后留校工作；多次在日本东京工业大学、澳大利亚伍伦贡大学开展合作研究。中国物理学会会员、美国物理学会会员，中国核物理学会正电子谱学专业委员会副主任。2012年获教育部自然科学二等奖。在国在PRM、PRB、APL、AM、AFM、Angew. Chem.、ACSCatal.等杂志上发表论文140余篇，获得7项国家发明专利授权。主要的研究兴趣为氧化物材料电子结构、表面物理、二维材料。

报告内容简介：

　　在纳米尺度范围下，材料的比表面大，表面失配和低配位原子必然存在。纳米材料表面缺陷类型十分丰富，包括表面原子失配、表面极化、表面非晶化、表面掺杂与杂质吸附、表面空位及复合空位等，这些缺陷对半导体材料的电子结构、光谱吸收及光生电子空穴的激发、迁移和复合的过程均有重要的影响。这些缺陷由于具有微区化，电子态密度极低特点，对于这些表面缺陷缺乏有效的研究手段，更谈不上有效控制。因此，目前纳米能源材料的研究与开发面临一个最大挑战便是如何有效的监测和控制材料的缺陷类型、缺陷浓度及分布。本次报告将介绍BiOX中的应力及空位、TiO2中氧空位的形成及其对电子结构和性能的影响及规律，Fe3GeTe2中Fe空位对重费米子行为的影响。